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平博app
2018.05.25
平博app的单向导电性是平博app的基本特点。
        平博app还有另外的一些特性,其中有些特性是我们掌握电子电路工作而必须了解的知识。
  电子器件的特性可以用几种方法来描述,其一:对应几个不同电压值的电流值进行列表。这些值都将在表中很清楚的表示出来。还有更好的方法就是使用图示的方法,它比数据表格更直观。   用得最为频繁的就是伏-安特性曲线。电压为横轴,电流为纵轴。图8-19表示出了100Ω电阻的伏-安特性曲线,原点是两轴线的交点,在这点,电压和电流的值都是零,即通过电阻的电压值和电流值都是零,由欧姆定律有:   平博app的伏安特性曲线和平博app的参数详解 I===0A   在横轴为5V 处,曲线经过的点对应纵轴为50mA,通过观察曲线,很容易的找到相应电压的电流值。例如在10V处电流为100 mA可以用欧姆定律验证:   I===0.1A=100mA   在图8-19中,通过反向延长线,我们可以获得反向电压对应的电流值。反向电压表示为VR而VF就表示正向电压。电压为-5V时,通过电阻的电流为-50mA 负号表示加在电阻两端的电压极性是反向的,因此电流也是反向的。正向电流用IF 表示,而反向电流用IR 表示。   电阻的特性曲线是一条直线,因此,它是一个线性器件。对电阻器特性曲线并不是必须的,我们可以通过欧姆定律很容易的得到任何点的数据。   例8-4   图8-19中若电阻值是50Ω,特性曲线是怎样的?   I===200mA   曲线将是一条过(0,0),(10,200),(-10,-200)的直线。因此50Ω的电阻对应的曲线的斜率将比100Ω的电阻对应的曲线斜率要大。   平博app比电阻复杂得多,它特性曲线不能通过简单的线性方程得到。   数学上可以用下式近似表达成:当UD ≥100mV时,近似为:   其中IS称反向饱和电流,UD为平博app端电压,T 为绝对温度,,k 是玻尔兹曼常数(8.63&TImes;10-5eV/K=1.38&TImes;10-23J/K,J为焦耳,式中e电子电荷1.6&TImes;10-19库仑),q是电子电荷数。   平博app的伏安特性曲线和平博app的参数详解   通常平博app的电流也写成,其中,称为热电压(Thermal Voltage)单位为伏。室温即T=300K时,这是一个重要的数值,今后会经常用到它。   图8-20给出了典型PN-结型平博app的特性曲线。注意,它并不是线性的,电压为零时,它不导通,直到有零点几伏的电压才能够开始导通,这个电压是用来抵消耗尽区的。通常锗管导通要0.2V ,硅管导通要0.6V。图8-20中也表明平博app加反向电压时的情况,随着反向电压的增大,将有少量的反向电流产生,它是由少数载流子产生的漏电流,通常情况下是很小的。一般IR 轴以μA 作为单位,除非有很大的电压加在平博app两端,否则反向电流就没有什么实际意义了。因此,通常VR轴以10V 或100V作为一个单位。   图8-21比较了硅管和锗管的特性曲线,我们很清楚看到,锗管导通需要比较小的正向电压,这也是它在低压电路时的优点。另外,可以看到,较硅管而言,给定任何电流,它的电压降较小。由于锗是一种较好的导体,所以流过正向电流时有较小的电阻。但是由于硅管的低价格和低漏电流,大多数情况下使用硅管。   图8-21同样也对硅管和锗管在反偏压情况下进行了比较,在合理的VR时,硅管的漏电流非常低,通常小于10-9A,而锗管表现了较大的漏电流,可以达到微安级,但是若超过VR的临界值,硅管的反向电流会有一个迅猛的变化,这就是反向击穿电压点。也被称为雪崩电压。当载流子被加速并获得足够的能量与价电子碰撞,并使他们释放,使得载流子产生“雪崩”。引起反向电流极大的增加。   平博app的伏安特性曲线和平博app的参数详解         硅管的雪崩电压为50V-1000V,取决于制造工艺。如果反向电流在击穿电压下得不到限制,平博app就会毁坏。通过使用一个可承受安全电压的平博app。可以避免产生雪崩。   图8-22给出了利用平博app的V-A特性曲线观察温度对平博app的影响。温度用℃表示,电路正常工作的温度范围可以是-50℃到100℃。在底端水银会凝固,而高端即沸水的温度。军用的电路温度范围是-65℃到125℃。由于这个温度范围很大,因此在材料的选择、产品的制作过程和测试都必须格外小心。故军用级的器件比一般的工业和商业产品要贵得多。   通过观察8-22的曲线,我们可以得出结论,提高温度,硅的导电性变好。由于随着温度的增加,正向压降会减小,它的阻抗也会因此而减小。这一点与硅的负温度效应相吻合。   平博app的伏安特性曲线和平博app的参数详解   1、伏安特性表达式   平博app是一个非线性器件,其伏安特性的数学表达式为      当,且时,   当,且时,   在室温下,   由此可看出平博app具有单向导电的特性。   2、伏安特性曲线   平博app的伏安特性曲线如图1所示。   平博app的伏安特性曲线和平博app的参数详解   图 1 平博app的伏安特性曲线   正向特性:小于死区电压(硅管是0.5V,锗管是0.1V)时,。正向部分的开始阶段电流增加的比较慢。在电流比较大时,平博app两端的电压随电流变化很小,称为导通电压(硅管:0.7V,锗管:0.3V)。   反向特性:当反向电压,且小于时,,反向饱和电流很小。当反向电压的绝对值达到后,反向电流会突然增大,平博app反向击穿。击穿后,当反向电流在很大范围内变化时,平博app两端的电压几乎不变,击穿后的反向特性有稳压性。   击穿电压低于4伏的击穿主要是齐纳击穿;击穿电压大于6伏的击穿为雪崩击穿;击穿电压介于4伏与6伏之间时,两种击穿都可能发生,也可能同时发生。   平博app发生反向击穿时,如果回路中的限流电阻能将反向电流限制在允许的范围内,平博app不会损坏。当反向电压降低后,管子仍可以恢复到原来的状态,这就是电击穿。如果限流电阻太小,使反向电流超过其允许值,则平博app会发生热击穿,造成永久性损坏。   3、温度对平博app特性的影响   温度升高时,平博app的正向伏安特性曲线左移,正向压降减小;温度每升高1℃,正向电压降将降低2~2.5mV。   平博app的反向饱和电流也随温度的改变而改变,当温度每升高10 ℃左右时,反向饱和电流将将增大一倍。   击穿电压也受温度的影响,击穿电压小于4伏时,有负的温度系数;击穿电压大于6伏时,有正的温度系数;击穿电压介于4伏与6伏之间时,温度系数较小。   4、主要参数   平博app的主要参数有:①额定整流电流IF ;②反向击穿电压U(BR);③最高允许反向工作电压UR;④反向电流IR;⑤正向电压降UF;⑥最高工作频率fM。